集微网消息,据韩媒报道,在日前举办的行业活动上,IDC韩国副总裁Kim Su-gyeom预计,存储半导体市场的下行周期将持续到2025年。
Kim Su-gyeom表示,今年的市场需求较最初预期更为糟糕,预计来年三季度DRAM和NAND市场都将出现暂时反弹,不过需求增速预期将分别从此前17%、30%下修至10%、19%,其后市场将再度逐步下行,总体规模萎缩,直至2026年后迎来拐点。
Tech Insights研究员Jeongdong Choi在同一活动上分享了其对存储半导体技术趋势的判断,他指出,三星电子的DRAM技术之前领先于其他竞争对手,但从2020年1z(15nm 级)DRAM开始,三家主要存储半导体公司的技术几乎达到同步,“随着DRAM密度不断提升的尝试,2025年将开发1c(11~12nm)DRAM,2029年左右我们将进入个位数nm级DRAM时代。”
关于NAND,Choi表示各大厂商正在开发400-500层堆叠产品,800层堆叠技术将在8-9年内发展。因此,必须引入先进的封装工艺技术。
(校对/武守哲)